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AFGY100T65SPD

Name: onsemi AFGY100T65SPD
Brand: onsemi
SKU: 863-AFGY100T65SPD
Price: 10.69 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

863-AFGY100T65SPD

Herst.- Nr.:

AFGY100T65SPD

Herst.:

onsemi

Beschreibung:

IGBTs FS3 IGBT 650V/100A AND AUTO STEALTH DIODE

Datenblatt:

AFGY100T65SPD Datenblatt

ECAD Model:

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Hersteller:	onsemi
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3LD
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.6 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	120 A
Pd - Verlustleistung:	660 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	AFGY100T65SPD
Verpackung:	Tube
Marke:	onsemi
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	30
Unterkategorie:	IGBTs

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Datenblatt

AFGY100T65SPD Datenblatt

PCN

Material Composition Disclosure

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

AFGY100/AFGY120T65SPD Field-Stop-Trench-IGBTs

onsemi AFGY100T65SPD und AFGY120T65SPD Field-Stop-Trench-IGBTs sind AEC-Q101-qualifiziert und verfügen über sehr niedrige Leitungs- und Schaltverluste. Diese Funktionen ermöglichen einen Betrieb mit hohem Wirkungsgrad in verschiedenen Applikationen, eine robuste transiente Zuverlässigkeit und eine niedrige EMI.