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SIZ346DT-T1-GE3

Name: Vishay SIZ346DT-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIZ346DT-T1-GE3
Price: 0.95 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIZ346DT-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SIZ346DT-T1-GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix
Vishay / Siliconix

Beschreibung:

MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3

Datenblatt:

SIZ346DT-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0,955 €	0,96 €
	0,596 €	5,96 €
	0,391 €	39,10 €
	0,303 €	151,50 €
	0,28 €	280,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,252 €	756,00 €
	0,241 €	1.446,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPAIR-3x3-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	17 A, 30 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	11.5 mOhms, 28.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 16 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.2 V, 2.4 V
Qg - Gate-Ladung:	6.6 nC, 10 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	16 W, 16.7 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	TrenchFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	7 ns, 8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	17 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	15 ns, 40 ns
Serie:	SIZ
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	7 ns, 17 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	7 ns, 8 ns
Gewicht pro Stück:	143,050 mg

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Datenblatt

SIZ346DT-T1-GE3 Datenblatt

Models

PCN

Product Change Notification 2024-01-09 (PDF)

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TrenchFET Gen IV MOSFETs

Die TrenchFET® Gen IV MOSFETs von Vishay / Siliconix gehören zur TrenchFET® Produktfamilie der Leistungs-MOSFETs der nächsten Generation. Die TrenchFET Gen IV MOSFETs verfügen über einen branchenweit niedrigen ON-Widerstand und eine niedrige Gate-Gesamtladung in den PowerPAK® SO-8- und 1212-8S-Gehäusen. Diese TrenchFET Gen IV MOSFETs haben einen extrem niedrigen R_DS(on), der niedrigere Leitungsverluste und damit einen geringeren Stromverbrauch bewirkt. Die TrenchFET MOSFETs sind außerdem in platzsparenden PowerPAK® 1212-8-Gehäusen erhältlich, die einen Wirkungsgrad bieten, der mit Gehäusen von einem Drittel der Größe vergleichbar ist. Zu den typischen Applikationen gehören Hochleistungs-DC/DC-Wandler, Synchrongleichrichtung, Mikro-Solarwechselrichter und Motorantriebsschalter.

PowerPAIR® Dual-MOSFETs

Die PowerPAIR^® Dual-MOSFETs von Vishay kombinieren optimierte Kombinationen von MOSFETs in einem kompakten Gehäuse. Die zusammengeschalteten PowerPAIR Dual-MOSFETs verfügen über einen geringeren Platzbedarf und bieten eine höhere Leistungsfähigkeit als separate diskrete Bauteile. Durch den bereits erfolgten Anschluss der beiden MOSFETs im PowerPAIR-Gehäuse werden die Layouts vereinfacht und die parasitäre Induktivität von PCB-Spuren reduziert, wodurch der Wirkungsgrad erhöht wird.

Industrie-Leistungslösung

Vishay bietet eines der branchenweit größten Portfolios an Halbleiter- und passiven Bauelementen für Industrie-Stromversorgungsapplikationen. Das Produktportfolio von Vishay für Industrie-Stromversorgungen umfasst Leistungs-MOSFETs, Leistungs-ICs, Gleichrichter, Dioden, Kondensatoren, Widerstände und Induktivitäten.

Integrierte MOSFET-Lösungen

Die integrierten MOSFET-Lösungen von Vishay kombinieren Bauelemente in einem einzigen monolithischen Chip, um die Leistungsdichte zu erhöhen, den Wirkungsgrad zu steigern, das Design zu vereinfachen und die BOM-Kosten zu senken. Diese Einzel- und Multi-Chip-MOSFETs vereinen Funktionen wie Schottky-Dioden und ESD-Schutz. Sie zeichnen sich durch n- und p-Kanal-TrenchFET^®-Technologien mit niedrigem Einschaltwiderstand und niedrigem thermischen Widerstand aus.