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SIC632CD-T1-GE3

Name: Vishay SIC632CD-T1-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SIC632CD-T1-GE3
Price: 2.06 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

78-SIC632CD-T1-GE3

Herst.- Nr.:

SIC632CD-T1-GE3

Herst.:

Vishay / Siliconix

Beschreibung:

Gate-Treiber 50A, 4.5V - 24V DrMOS VRPower

Datenblatt:

SIC632CD-T1-GE3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	2,06 €	2,06 €
	1,53 €	15,30 €
	1,39 €	34,75 €
	1,25 €	125,00 €
	1,18 €	295,00 €
	1,14 €	570,00 €
	1,11 €	1.110,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	1,01 €	3.030,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Vishay
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
REACH - SVHC:
Produkt:	MOSFET Gate Drivers
Typ:	High-Side, Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PowerPak-31
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	50 A
Versorgungsspannung - Min.:	4.5 V
Versorgungsspannung - Max.:	24 V
Konfiguration:	Non-Inverting
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	SIC
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Vishay / Siliconix
Eingangsspannung – Max:	24 V
Eingangsspannung – Min:	4.5 V
Betriebsversorgungsstrom:	525 uA
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Abschaltung:	Shutdown
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Handelsname:	VRPower
Gewicht pro Stück:	3,439 g

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VRPower DrMOS Integrierte Leistungsstufe

Die integrierten Leistungsstufen VRPower DrMOS von Vishay Semiconductors sind für synchrone Abwärtswandleranwendungen optimiert und bietet hohe Leistung bezogen auf Strom, Wirkungsgrad und Leistungsdichte. Die SiC-Serie ist in Vishays proprietären MLP-Gehäuse erhältlich und ermöglicht die Entwicklung von Spannungsreglern mit Dauerstrom pro Phase. Die Serie enthält ein verbessertes MOSFET-Gate-Treiber-IC, das hohe Ansteuerungsströme, adaptive Laufzeitsteuerung, eine integrierte Schottky-Diode sowie Nullstromerkennung zur Verbesserung des Wirkungsgrads bei niedriger Last bietet.
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DrMOS SiC6-Serie Integrierte Leistungsstufe

Die integrierte Leistungsstufe SiC620 von Vishay Semiconductors ist für synchrone Abwärtswandleranwendungen optimiert und bietet hohe Leistung bezogen auf Strom, Wirkungsgrad und Leistungsdichte. Die SiC620 ist in Vishays proprietären 5mm x 5mm MLP-Gehäuse erhältlich und ermöglicht die Entwicklung von Spannungsreglern mit bis zu 60A Dauerstrom pro Phase.Die internen Leistungs-MOSFETs nutzen Vishays hochmoderne Gen IV TrenchFET-Technik für branchenführende Leistung sowie umfassend reduzierte Schalt- und Leitungsverluste.

Die SiC620 enthält ein erweitertes MOSFET-Gate-Treiber-IC, das hohe Ansteuerungsströme, adaptive Laufzeitsteuerung, eine integrierte Bootstrap-Schottky-Diode und ein thermisches Alarmsignal (THWn) für Warnmeldungen bei überhöhter Sperrschichttemperatur sowie Nullstromerkennung zur Verbesserung des Wirkungsgrads bei niedriger Last bietet. Die Treiber sind auch kompatibel mit einer großen Bandbreite von PWM-Controllern und unterstützen Tri-State PWM, 3,3V (SiC620A) / 5V (SiC620) PWM-Logik.
Weitere Informationen

Optisch isolierte MOSFET-Treiber

Optisch isolierte MOSFET-Treiber von Vishay bieten die Spannung, die für die Ansteuerung des Gates eines Niederspannungs-MOSFET erforderlich ist. Die Gate-Spannung wird von Photovoltaik-Zellen erzeugt und auf der Ausgangsseite ist keine Stromversorgung erforderlich. Dies vereinfacht Designs bei der Verwendung von Niederspannungs-MOSFETS. Der Einkanal-VOM1271T bietet eine Ausgangsspannung von 8,4 V mit einem Eingangsdurchlassstrom von nur 10 mA. Der Zweikanal-VO1263AACTR bietet eine Ausgangsspannung von 14,5 V.