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SI4403CDY-T1-GE3

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78-SI4403CDY-T1-GE3

SI4403CDY-T1-GE3

Herst.:

Beschreibung:
MOSFET 1.8V P-Channel

ECAD Model:
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Preis (EUR)

Menge Stückpreis
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Gurtabschnitt / MouseReel™
1 0,84 € 0,84 €
10 0,741 € 7,41 €
100 0,568 € 56,80 €
500 0,449 € 224,50 €
1.000 0,36 € 360,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
2.500 0,342 € 855,00 €
5.000 0,335 € 1.675,00 €
10.000 0,328 € 3.280,00 €
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden.
Produktattribut Attributwert
Vishay
MOSFET
RoHS:  Details
Si
SMD/SMT
SOIC-8
P-Channel
1 Channel
20 V
13.4 A
15.5 mOhms
- 8 V, + 8 V
400 mV
60 nC
- 55 C
+ 150 C
5 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Vishay Semiconductors
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 40 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 40 S
Höhe: 1.75 mm
Länge: 4.9 mm
Produkt-Typ: MOSFET
Anstiegszeit: 16 ns
Serie: SI4
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: MOSFETs
Transistorart: 1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 101 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 14 ns
Breite: 3.9 mm
Gewicht pro Stück: 187 mg
TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290095
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

Si4-MOSFETs

Die Si4-MOSFETS von Vishay/Siliconix sind Leistungs-MOSFETs vom Typ TrenchFET®, die zur Verstärkung elektronischer Signale verwendet werden. Diese Si4-MOSFETS sind in den Ausführungen N-Kanal, P-Kanal sowie N- und P-Kanal erhältlich.Die Si4-MOSFETs bieten unterschiedliche VGS, VDS und Temperaturbereiche. Die Si4-MOSFETs arbeiten in einem Erweiterungsmodus und werden zum Umschalten zwischen elektronischen Signalen verwendet. Diese MOSFETs sind Oberflächen-montiert, 100 % R- und UIS-getestet und werden in einer Verpackungseinheit geliefert.
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Bild Beschreibung
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