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TPHR9003NL,L1Q

Name: Toshiba TPHR9003NL,L1Q
Brand: Toshiba
SKU: 757-TPHR9003NLL1Q
Price: 2.2 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-TPHR9003NLL1Q

Herst.- Nr.:

TPHR9003NL,L1Q

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs X35PBF Power MOSFET Trans VGS4.5VVDS30V

Datenblatt:

TPHR9003NL,L1Q Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	2,20 €	2,20 €
	1,61 €	16,10 €
	1,14 €	114,00 €
	0,946 €	473,00 €
	0,937 €	937,00 €
	0,929 €	2.322,50 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 5000)
	0,80 €	4.000,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	60 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.1 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.3 V
Qg - Gate-Ladung:	74 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	78 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	U-MOSVIII-H
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	TPHR9003NL
Verpackung ab Werk:	5000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	83 mg

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Datenblatt

TPHR9003NL,L1Q Datenblatt

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Applikationen Motorsteuerung

Motorsteuerungsapplikationen von Toshiba sind ein Portfolio an Bauteilen der neuen Generation für Motor-Applikationen. Dazu gehören MOSFETs mit hoher Leistung für einen hohen Wirkungsgrad in Endprodukten. Diese MOSFETs werden mit dem neuesten Gen-8 Trench-MOS-Prozess hergestellt. Dies hilft, den Wirkungsgrad von Netzteilen zu verbessern. Die Funktionen umfassen einen niedrigen Drain-Source-Einschaltwiderstand, einen niedrigen Ableitstrom und eine hohe Avalanche-Robustheit.