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TK115A65Z5,S4X

Name: Toshiba TK115A65Z5,S4X
Brand: Toshiba
SKU: 757-TK115A65Z5S4X
Price: 4.94 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-TK115A65Z5S4X

Herst.- Nr.:

TK115A65Z5,S4X

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

MOSFETs N-ch MOSFET, 650 V, 0.115 O@10V, TO-220SIS, DTMOS?

Lebenszyklus:

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Datenblatt:

TK115A65Z5,S4X Datenblatt

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220SIS-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	24 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	115 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	30 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.5 V
Qg - Gate-Ladung:	42 nC
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	45 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Tube
Marke:	Toshiba
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	3.7 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	25 ns
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	83 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	54 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

TKx n-Kanal-Silizium-MOSFETs

Die TKx n-Kanal-Silizium-MOSFETs von Toshiba sind in U-MOSX-H- und DTMOSVI-Ausführungen erhältlich und bieten außergewöhnliche Leistungsmerkmale. Diese MOSFETs haben schnelle Sperrverzögerungszeiten, die den Wirkungsgrad in Hochgeschwindigkeits-Schaltapplikationen verbessern, indem sie die Verzögerung zwischen dem Aus- und dem Einschaltzustand reduzieren. Der niedrige Drain-Source-Einschaltwiderstand [R_DS(on)] trägt zu minimalen Leistungsverlusten und einem verbesserten Wärmemanagement bei und macht diese MOSFETs ideal für Applikationen, die eine hohe Strombelastbarkeit mit niedriger Energiedissipation erfordern.