TK068N65Z5,S1F

Toshiba
757-TK068N65Z5S1F
TK068N65Z5,S1F

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs TO247 650V 1.69A N-CH

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Toshiba
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
37 A
68 mOhms
- 30 V, 30 V
4.5 V
68 nC
- 55 C
+ 150 C
270 W
Enhancement
Tube
Marke: Toshiba
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 3.5 ns
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 51 ns
Verpackung ab Werk: 30
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 115 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 92 ns
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

TKx n-Kanal-Silizium-MOSFETs

Die TKx n-Kanal-Silizium-MOSFETs von Toshiba sind in U-MOSX-H- und DTMOSVI-Ausführungen erhältlich und bieten außergewöhnliche Leistungsmerkmale. Diese MOSFETs haben schnelle Sperrverzögerungszeiten, die den Wirkungsgrad in Hochgeschwindigkeits-Schaltapplikationen verbessern, indem sie die Verzögerung zwischen dem Aus- und dem Einschaltzustand reduzieren. Der niedrige Drain-Source-Einschaltwiderstand [RDS(on)] trägt zu minimalen Leistungsverlusten und einem verbesserten Wärmemanagement bei und macht diese MOSFETs ideal für Applikationen, die eine hohe Strombelastbarkeit mit niedriger Energiedissipation erfordern.