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CUHS10F60,H3F

Name: Toshiba CUHS10F60,H3F
Brand: Toshiba
SKU: 757-CUHS10F60H3F
Price: 0.31 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

757-CUHS10F60H3F

Herst.- Nr.:

CUHS10F60,H3F

Herst.:

Toshiba

Beschreibung:

Schottky Dioden & Gleichrichter Sml-Signal Schottky 1A 60V 130pF

Datenblatt:

CUHS10F60,H3F Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

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Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0,31 €	0,31 €
	0,192 €	1,92 €
	0,121 €	12,10 €
	0,09 €	45,00 €
	0,079 €	79,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,059 €	177,00 €
	0,054 €	324,00 €
	0,049 €	441,00 €
	0,048 €	1.152,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Toshiba
Produktkategorie:	Schottky Dioden & Gleichrichter
RoHS:
Konfiguration:	Single
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Toshiba
Land der Bestückung:	TH
Land der Verbreitung:	JP
Ursprungsland:	TH
Produkt-Typ:	Schottky Diodes & Rectifiers
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Gewicht pro Stück:	5,400 mg

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Datenblatt

CUHS10F60,H3F Datenblatt (PDF)

Application Notes

Models

Product Catalogs

Test/Quality Data

Reliability Tests Report

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

CUHS10F60 Schottky Barrier Diode

Toshiba CUHS10F60 Schottky Barrier Diode (SBD) is designed for high-speed switching applications with high breakdown voltage and low reverse current. This SBD provides a maximum reverse voltage of 60V and an average rectified current of 1A. The CUHS10F60 diode features a storage temperature range from -55°C to +150°C and a maximum junction temperature of +150°C. The Toshiba CUHS10F60 SBD also features a reverse leakage current of 0.04mA when the reverse voltage is 60V.

CUHSx Schottky Barrier Diodes

Toshiba CUHSx Schottky Barrier Diodes (SBDs) are suitable for rectifying power supply circuits and protecting reverse currents. These diodes are high-speed switching devices that incorporate Si technology and use a US2H package to achieve low-thermal resistance. These SBDs offer a reverse leakage greater than other types of diodes making them more susceptible to thermal runaway under high-temperature and high-voltage conditions. To improve the efficiency of power supply use, these SBDs are required to have low forward voltage and low reverse current. The DC-DC boost converter ICs are used in voltage-boosting circuits for driving LCD backlight LEDs in portable devices like smartphones, tablets, and notebook PCs. In addition to the DC-DC converter circuits, Toshiba CUHSx Schottky Barrier Diodes are also used in applications such as motor driver circuits, MOSFET gate driver circuits, and freewheeling diodes.

Small Signal Schottky Barrier Diodes

Toshiba Small Signal Schottky Barrier Diodes come in a variety of packages, voltages, and current ratings to meet a variety of design requirements. Voltages range from 10V to 60V with current ratings from 0.05A to 2A. Toshiba Small Signal Schottky Barrier Diodes feature high-speed switching and a low leakage current.