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LMG5200MOFR

Name: Texas Instruments LMG5200MOFR
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LMG5200MOFR
Price: 12.62 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-LMG5200MOFR

Herst.- Nr.:

LMG5200MOFR

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber 80V GaN Half Bridge Power Stage 9-QFM -4 A 595-LMG5200MOFT

Datenblatt:

LMG5200MOFR Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	12,62 €	12,62 €
	9,59 €	95,90 €
	9,19 €	229,75 €
	8,10 €	810,00 €
	7,71 €	1.927,50 €
	7,52 €	3.760,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2000)
	6,40 €	12.800,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Half-Bridge Drivers
Typ:	High-Side, Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	QFM-9
Anzahl der Treiber:	1 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	10 A
Versorgungsspannung - Min.:	4.75 V
Versorgungsspannung - Max.:	5.25 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	LMG5200
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Betriebsversorgungsstrom:	3 mA
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	15 Ohms
Verpackung ab Werk:	2000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Handelsname:	GaN
Gewicht pro Stück:	2,338 g

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LMG5200 TINA-TI Transient Reference Design (Rev. C)

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

LMG5200 80V-GaN-Halbbrücken-Leistungsstufe

Die LMG5200 80V-GaN-Halbbrücken-Leistungsstufe von Texas Instruments bietet eine integrierte Leistungsstufenlösung mit Anreicherungs-Gallium-Nitrid-(GaN)-FETs. Das Bauteil besteht aus zwei 80V-GaN-FETs, die von einem GaN-FET-Treiber mit hoher Frequenz in einer Halbbrücken-Konfiguration angesteuert werden. Die GaN-FETs bieten erhebliche Vorteile für die Leistungsumwandlung, da sie über eine Sperrverzögerung nahe Null und eine sehr kleine Eingangskapazität C_ISS verfügen. Alle Bauteile sind auf einer vollständig bonddrahtlosen Gehäuseplattform mit einer minimalen Anzahl parasitärer Gehäuseelementen montiert. Die TTL-Logik-kompatiblen Eingänge können unabhängig von der V_CC-Spannung Eingangsspannungen bis zu 12 V widerstehen. Das proprietäre Bootstrap-Spannungsklemmverfahren stellt sicher, dass die Gate-Spannungen der Anreicherungs-GaN-FETs innerhalb eines sicheren Betriebsbereichs liegen.

Galliumnitrid (GaN)

Die Galliumnitrid-(GaN)-Lösungen von Texas Instruments bieten einen hohen Wirkungsgrad, eine hohe Leistungsdichte und Zuverlässigkeit. Die GaN-Produktfamilie von Texas Instruments besteht aus Controllern, Treibern und Reglern und bietet eine durchgehende Leistungsumwandlung mit reduzierter Leistungsaufnahme und 5-MHz-Schaltfrequenzen.