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LM5113QDPRRQ1

Name: Texas Instruments LM5113QDPRRQ1
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-LM5113QDPRRQ1
Price: 3.79 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-LM5113QDPRRQ1

Herst.- Nr.:

LM5113QDPRRQ1

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

Gate-Treiber Automotive 1.2-A/5-A 100-V half bridge

Datenblatt:

LM5113QDPRRQ1 Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 4500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	3,79 €	3,79 €
	2,88 €	28,80 €
	2,65 €	66,25 €
	2,40 €	240,00 €
	2,28 €	570,00 €
	2,21 €	1.105,00 €
	2,15 €	2.150,00 €
	2,10 €	5.250,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 4500)
	2,05 €	9.225,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Half-Bridge Drivers
Typ:	High-Side, Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WSON-10
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	2 Output
Ausgangsstrom:	5 A
Versorgungsspannung - Min.:	4.5 V
Versorgungsspannung - Max.:	5.5 V
Anstiegszeit:	7 ns
Abfallzeit:	3.5 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Serie:	LM5113
Qualifikation:	AEC-Q100
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Maximale Abschaltverzögerungszeit:	26.5 ns
Maximale Anschaltverzögerungszeit:	28 ns
Betriebsversorgungsstrom:	2 mA
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	4500
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	Si
Gewicht pro Stück:	49,200 mg

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CNHTS:: 8542399000
CAHTS:: 8542390000
USHTS:: 8542390090
MXHTS:: 8542399999
ECCN:: EAR99

LM5113/LM5113-Q1 Halbbrücken-Gatetreiber

Der Halbbrücken-Gate-Treiber LM5113/LM5113-Q1 von Texas Instruments wurde entwickelt, um sowohl High-Side- als auch Low-Side-Erweiterungsmodus-Galliumnitrid-(GaN)-FETs in einer synchronen Abwärts- oder Halbbrücken-Konfiguration anzusteuern. Der potentialfreie High-Side-Treiber ist in der Lage, einen High-Side-Erweiterungsmodus-GaN-FET zu anzusteuern, der mit bis zu 100 V betrieben wird. Die High-Side-Vorspannung wird mit einer Bootstrap-Technik erzeugt und ist intern bei 5,2 V geklemmt. Diese Klemmspannung verhindert, dass die Gate-Spannung die maximale Gate-Source-Nennspannung der Verstärkungsmodus-GaN-FETs überschreitet. Die Eingänge der LM5113/LM5113-Q1 sind TTL-Logik-kompatibel und können Eingangsspannungen bis zu 14 V widerstehen, unabhängig von der VDD-Spannung. Der LM5113 / LM5113-Q1 verfügt über Split-Gate-Ausgänge und bietet Flexibilität, um die Einschalt- und Abschaltfestigkeit unabhängig einzustellen. Die LM5113-Q1 Bauteile sind gemäß AEC-Q100 für Automobil-Applikationen zugelassen.