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CSD88584Q5DC

Name: Texas Instruments CSD88584Q5DC
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD88584Q5DC
Price: 4.06 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD88584Q5DC

Herst.- Nr.:

CSD88584Q5DC

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 40-V N channel sync hronous buck NexFET A 595-CSD88584Q5DCT

Datenblatt:

CSD88584Q5DC Datenblatt

ECAD Model:

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Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	4,06 €	4,06 €
	2,69 €	26,90 €
	1,91 €	191,00 €
	1,79 €	895,00 €
	1,69 €	1.690,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	1,67 €	4.175,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSON-CLIP-22
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	40 V
Id - Drain-Gleichstrom:	50 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	680 uOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.2 V
Qg - Gate-Ladung:	137 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	12 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	PH
Abfallzeit:	17 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	149 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	24 ns
Serie:	CSD88584Q5DC
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	53 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns
Gewicht pro Stück:	100,600 mg

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Datenblatt

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SPICE Models

CSD88584Q5DC PSpice Model (Rev. A)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
Weitere Informationen

NexFET Power Block ICs

Texas Instruments NexFET Power Block ICs are optimized driver ICs with Dual NexFET MOSFETs used in the devices. This delivers higher efficiency in a typical high current POL design. These devices use half the PCB area versus other discrete 3x3 QFN package MOSFETs, which improves power density. With ultra-low Qg & Qgd, these devices enable a higher switching frequency with up to double frequency for the same power loss versus competitor's devices. This feature provides improved transient response for fewer output capacitors that will be needed. There is a size reduction, by up to 1/2, for the output filter (caps & inductor). Texas Instruments NexFET Power Block ICs come with a unique ground pad lead frame and pinout, which simplifies the customer's layout and improves operating and thermal performance.

CSD88584Q5DC 40V-Halbbrücken-NexFET-Energieblock

Der CSD88584Q5DC 40-V-Halbbrücken-NexFET-Energieblock von Texas Instruments ist ein optimiertes Design für Hochstrom-Motorsteuerungs-Applikationen. Diese Applikationen umfassen tragbare, kabellose Garten- und Elektrowerkzeuge. Dieses Gerät nutzt die patentierte Stapelmodelltechnologie von TI, um parasitäre Induktivitäten zu minimieren und gleichzeitig eine komplette Halbbrücke zu bieten. Das Gerät ist in einem platzsparenden, thermisch verbesserten Cool™ Gehäuse von 5 mm × 6 mm untergebracht. Mit einer freiliegenden Metalldeckschicht, ermöglicht dieses Energieblock-Bauelement eine einfache Kühlkörper-Applikation, um Wärme durch die Oberseite des Gehäuses und weg von der Leiterplatte zu leiten. Dieses Design ermöglicht eine hervorragende Wärmeleistung bei höheren Strömen, die von vielen Motorsteuerungsapplikationen gefordert wird.
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