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CSD87313DMS

Name: Texas Instruments CSD87313DMS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD87313DMS
Price: 1.9 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD87313DMS

Herst.- Nr.:

CSD87313DMS

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMST

Datenblatt:

CSD87313DMS Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,90 €	1,90 €
	1,21 €	12,10 €
	0,839 €	83,90 €
	0,635 €	317,50 €
	0,594 €	594,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0,525 €	1.312,50 €
	0,515 €	2.575,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD87313DMST

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

2,50 €

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD87313DMST

Beschreibung:

MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET du A A 595-CSD87313DMS

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Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WSON-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	17 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	5.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	600 mV
Qg - Gate-Ladung:	28 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2.7 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Dual
Abfallzeit:	13 ns, 13 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	149 S, 149 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	27 ns, 27 ns
Serie:	CSD87313DMS
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	41 ns, 41 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9 ns, 9 ns
Gewicht pro Stück:	5,500 mg

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