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CSD75208W1015T

Name: Texas Instruments CSD75208W1015T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD75208W1015T
Price: 1.45 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD75208W1015T

Herst.- Nr.:

CSD75208W1015T

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 20V PCH NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD7520 A 595-CSD75208W1015

Datenblatt:

CSD75208W1015T Datenblatt

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,45 €	1,45 €
	0,929 €	9,29 €
	0,526 €	52,60 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	0,526 €	131,50 €
	0,461 €	230,50 €
	0,415 €	415,00 €
	0,409 €	1.022,50 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD75208W1015

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

0,59 €

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD75208W1015

Beschreibung:

MOSFETs 20V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD75208W1015T

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DSBGA-6
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	2 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	1.6 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	150 mOhms, 285 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 6 V, 6 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	800 mV
Qg - Gate-Ladung:	1.9 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	750 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Dual
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	11 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5 ns
Serie:	CSD75208W1015
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	2 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	29 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9 ns
Gewicht pro Stück:	1,700 mg

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Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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