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CSD25310Q2T

Name: Texas Instruments CSD25310Q2T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25310Q2T
Price: 0.47 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD25310Q2T

Herst.- Nr.:

CSD25310Q2T

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs -20-V P channel Nex FET power MOSFET si A 595-CSD25310Q2

Datenblatt:

CSD25310Q2T Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)

Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0,473 €	0,47 €
	0,406 €	4,06 €
	0,378 €	37,80 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	0,378 €	94,50 €
	0,376 €	188,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD25310Q2

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

0,48 €

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD25310Q2

Beschreibung:

MOSFETs 20-V P-CH NexFET Pwr MOSFET

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	WSON-6
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	20 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	19.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.1 V
Qg - Gate-Ladung:	4.7 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2.9 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	5 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	34 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	15 ns
Serie:	CSD25310Q2
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Regelabschaltverzögerungszeit:	15 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8 ns
Gewicht pro Stück:	6 mg

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Datenblatt

CSD25310Q2T Datenblatt

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

CSD25310Q2 20V p-Kanal-Leistungs-MOSFET

Texas Instruments CSD25310Q2 20V p-Kanal-NexFET-Leistungs-MOSFET ist ein 20V-p-Kanal-MOSFET mit 19,9 mΩ, der entwickelt wurde, um den niedrigsten On-Widerstand und Gate-Ladung zu liefern. Dies geschieht im kleinst möglichen Profil mit ausgezeichneten thermischen Eigenschaften. Der niedrige On-Widerstand des CSD25310Q2 in Verbindung mit einem extrem kleinen Platzbedarf in einem 2 mm x 2 mm kleinen SON-Kunststoffgehäuse machen das Bauelement ideal für batteriebetriebene, platzbeschränkte Operationen.