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CSD25304W1015

Name: Texas Instruments CSD25304W1015
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25304W1015
Price: 0.67 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD25304W1015

Herst.- Nr.:

CSD25304W1015

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 20V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD25304W1015T

Datenblatt:

CSD25304W1015 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0,671 €	0,67 €
	0,415 €	4,15 €
	0,272 €	27,20 €
	0,207 €	103,50 €
	0,185 €	185,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,156 €	468,00 €
	0,138 €	828,00 €
	0,118 €	1.062,00 €
	0,117 €	2.808,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD25304W1015T

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

1,45 €

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD25304W1015T

Beschreibung:

MOSFETs 20V P-Ch NexFET A 59 5-CSD25304W1015 A 5 A 595-CSD25304W1015

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DSBGA-6
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	92 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.15 V
Qg - Gate-Ladung:	4.4 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	750 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	10 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	12 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4 ns
Serie:	CSD25304W1015
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	24 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	6 ns
Gewicht pro Stück:	1,400 mg

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Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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