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CSD25202W15

Name: Texas Instruments CSD25202W15
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD25202W15
Price: 0.68 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD25202W15

Herst.- Nr.:

CSD25202W15

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 20V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD25202W15T

Datenblatt:

CSD25202W15 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0,688 €	0,69 €
	0,479 €	4,79 €
	0,324 €	32,40 €
	0,256 €	128,00 €
	0,231 €	231,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,191 €	573,00 €
	0,175 €	1.050,00 €
	0,163 €	1.467,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DSBGA-9
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	20 V
Id - Drain-Gleichstrom:	4 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	52 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 6 V, 6 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.05 V
Qg - Gate-Ladung:	7.5 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	500 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	28 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	16 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	12 ns
Serie:	CSD25202W15
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	64 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	15 ns
Gewicht pro Stück:	2 mg

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Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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