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CSD23202W10

Name: Texas Instruments CSD23202W10
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD23202W10
Price: 0.53 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD23202W10

Herst.- Nr.:

CSD23202W10

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 12V P-channel NexFET Pwr MOSFET A 595-CS A 595-CSD23202W10T

Datenblatt:

CSD23202W10 Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0,533 €	0,53 €
	0,332 €	3,32 €
	0,212 €	21,20 €
	0,161 €	80,50 €
	0,142 €	142,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,122 €	366,00 €
	0,111 €	666,00 €
	0,095 €	855,00 €
	0,092 €	2.208,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD23202W10T

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

1,33 €

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD23202W10T

Beschreibung:

MOSFETs 12V PCH NexFET A 595 -CSD23202W10 A 595- A 595-CSD23202W10

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DSBGA-4
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	12 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2.2 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	92 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 6 V, 6 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	900 mV
Qg - Gate-Ladung:	3.8 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	21 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	5.6 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4 ns
Serie:	CSD23202W10
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 P-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	58 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	9 ns
Gewicht pro Stück:	200 mg

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Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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