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CSD19538Q3AT

Name: Texas Instruments CSD19538Q3AT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19538Q3AT
Price: 1.46 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD19538Q3AT

Herst.- Nr.:

CSD19538Q3AT

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3A

Datenblatt:

CSD19538Q3AT Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,46 €	1,46 €
	1,01 €	10,10 €
	0,62 €	62,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	0,62 €	155,00 €
	0,525 €	262,50 €
	0,472 €	472,00 €
	0,464 €	1.160,00 €
	0,445 €	2.225,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD19538Q3A

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

0,85 €

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD19538Q3A

Beschreibung:

MOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19538Q3AT

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSONP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	15 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	61 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	3.2 V
Qg - Gate-Ladung:	4.3 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2.8 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	2 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	3 ns
Serie:	CSD19538Q3A
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	7 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5 ns
Gewicht pro Stück:	27,300 mg

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