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CSD19537Q3

Name: Texas Instruments CSD19537Q3
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD19537Q3
Price: 1.27 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD19537Q3

Herst.- Nr.:

CSD19537Q3

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3T

Datenblatt:

CSD19537Q3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,27 €	1,27 €
	0,877 €	8,77 €
	0,58 €	58,00 €
	0,507 €	253,50 €
	0,464 €	464,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0,416 €	1.040,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD19537Q3T

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

1,84 €

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD19537Q3T

Beschreibung:

MOSFETs 100-V N channel Nex FET power MOSFET s A A 595-CSD19537Q3

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSON-CLIP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	100 V
Id - Drain-Gleichstrom:	50 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	14.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2.6 V
Qg - Gate-Ladung:	16 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	83 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	3 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	3 ns
Serie:	CSD19537Q3
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	10 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	5 ns
Gewicht pro Stück:	24 mg

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Datenblatt

CSD19537Q3 Datenblatt

Models

CSD19537Q3 Symbol & Footprint by SnapMagic

SPICE Models

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
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KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Diese n-Kanal-Bauteile verfügen über einen extrem niedrigen Qg und Qd sowie einen niedrigen thermischen Widerstand. Diese Bauteile sind Avalanche-fähig und in einem SON-Kunststoffgehäuse von 5 mm x 6 mm verfügbar.

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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CSD19537Q3 N-Kanal NexFET™ Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments CSD19537Q3 NexFET™ N-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind 100V 12,1mΩ NexFET N-Kanal-Leistungs-MOSFETs die entwickelt wurden, um Verluste bei Stromumwandlungsanwendungen zu minimieren. Dieser MOSFET verfügt über einen extrem geringen Qg und Qgd mit niedrigem Wärmewiderstand. Er ist außerdem Avalanche-bewertet und wird in einem bleifreien, halogenfreien SON-8 Kunststoffgehäuse von 3,3mmx3,3mm geliefert und ist RoHS-konform. Zu den typischen Anwendungen gehören isolierte Primärseiten-Wandler und Motorantriebe.
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