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CSD18563Q5A

Name: Texas Instruments CSD18563Q5A
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18563Q5A
Price: 1.69 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD18563Q5A

Herst.- Nr.:

CSD18563Q5A

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 60V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD18563Q5AT

Datenblatt:

CSD18563Q5A Datenblatt

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,69 €	1,69 €
	1,08 €	10,80 €
	0,719 €	71,90 €
	0,576 €	288,00 €
	0,556 €	556,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0,483 €	1.207,50 €
	0,456 €	2.280,00 €
	0,455 €	4.550,00 €
	0,45 €	11.250,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD18563Q5AT

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

1,34 €

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD18563Q5AT

Beschreibung:

MOSFETs 60V NCh NexFET Power MOSFET A 595-CSD185 A 595-CSD18563Q5A

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Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSONP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	100 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	6.8 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.7 V
Qg - Gate-Ladung:	15 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	116 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	1.7 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	6.3 ns
Serie:	CSD18563Q5A
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	11.4 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	3.2 ns
Gewicht pro Stück:	86 mg

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