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CSD18536KCS

Name: Texas Instruments CSD18536KCS
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD18536KCS
Price: 4.5 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD18536KCS

Herst.- Nr.:

CSD18536KCS

Herst.:

Texas Instruments

Datenblatt:

ECAD Model:

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Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	Through Hole
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	349 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.6 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.4 V
Qg - Gate-Ladung:	108 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Pd - Verlustleistung:	375 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Tube
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	CN
Land der Verbreitung:	CN
Ursprungsland:	CN
Abfallzeit:	4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	312 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5 ns
Serie:	CSD18536KCS
Verpackung ab Werk:	50
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	24 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	11 ns
Gewicht pro Stück:	2 g