CSD18512Q5B

Texas Instruments
595-CSD18512Q5B
CSD18512Q5B

Herst.:

Beschreibung:
MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18512Q5BT

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Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™
2,11 € 2,11 €
1,35 € 13,50 €
0,92 € 92,00 €
0,752 € 376,00 €
0,699 € 699,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
0,615 € 1.537,50 €
0,595 € 2.975,00 €
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Verpackung:
Reel, Cut Tape, MouseReel
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MOSFETs 40-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD18512Q5B

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Texas Instruments
Produktkategorie: MOSFETs
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
VSON-CLIP-8
N-Channel
1 Channel
40 V
100 A
1.8 mOhms
- 20 V, 20 V
1.3 V
98 nC
- 55 C
+ 150 C
139 W
Enhancement
NexFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: Texas Instruments
Konfiguration: Single
Abfallzeit: 7 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.: 136 S
Produkt-Typ: MOSFETs
Anstiegszeit: 16 ns
Serie: CSD18512Q5B
Verpackung ab Werk: 2500
Unterkategorie: Transistors
Transistorart: 1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit: 31 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 7 ns
Gewicht pro Stück: 115,700 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Diese n-Kanal-Bauteile verfügen über einen extrem niedrigen Qg und Qd sowie einen niedrigen thermischen Widerstand. Diese Bauteile sind Avalanche-fähig und in einem SON-Kunststoffgehäuse von 5 mm x 6 mm verfügbar.

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