Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

CSD17581Q3AT

Name: Texas Instruments CSD17581Q3AT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17581Q3AT
Price: 1.46 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD17581Q3AT

Herst.- Nr.:

CSD17581Q3AT

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 30V N-Channel NexFET A 595-CSD17581Q3A A A 595-CSD17581Q3A

Datenblatt:

CSD17581Q3AT Datenblatt

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu Texas Instruments CSD17581Q3AT

Auf Lager: 278

Lagerbestand:: 278

sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Auf Bestellung:: 250

erwartet ab 20.02.2026
Lieferzeit ab Hersteller:: 6

Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)

Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,46 €	1,46 €
	0,929 €	9,29 €
	0,539 €	53,90 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	0,539 €	134,75 €
	0,463 €	231,50 €
	0,417 €	417,00 €
	0,401 €	1.002,50 €
	0,374 €	1.870,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD17581Q3A

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

1,06 €

Min:

Ähnliches Produkt

Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD17581Q3A

Beschreibung:

MOSFETs 30-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD17581Q3AT

Mit dem aktuellen Teil vergleichen

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSONP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	60 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	3.9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1 V
Qg - Gate-Ladung:	54 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	63 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	10 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	78 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	23 ns
Serie:	CSD17581Q3A
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	23 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	12 ns
Gewicht pro Stück:	27,700 mg

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Diese n-Kanal-Bauteile verfügen über einen extrem niedrigen Qg und Qd sowie einen niedrigen thermischen Widerstand. Diese Bauteile sind Avalanche-fähig und in einem SON-Kunststoffgehäuse von 5 mm x 6 mm verfügbar.

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
Weitere Informationen

CSD17581Q3A NexFET™ Leistungs-MOSFET

Das Texas Instruments CSD17581Q3A NexFET™ Leistungs-MOSFET ist ein 30 V-, 3,2 mΩ-Leistungs-MOSFET mit N-Kanälen. Dieses Gerät wurde entwickelt, um die Verluste bei Stromrichtapplikationen zu minimieren. Dieser MOSFET bietet niedrigen Qg, Qgd, R_DS(on) und einen geringen Wärmewiderstand. Diese Eigenschaften machen dieses Gerät ideal für Point-of-Load-Synchron-Abwärtswandler für Applikationen in Netzwerken, Telekommunikations- und Computersystemen. Dieses Gerät funktioniert auch gut für Motorsteuerungsapplikationen und ist optimiert für Steuer-FET-Applikationen.
Mehr erfahren