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CSD17579Q3A

Name: Texas Instruments CSD17579Q3A
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17579Q3A
Price: 0.62 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD17579Q3A

Herst.- Nr.:

CSD17579Q3A

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs CSD17579Q3A 30 V 8-V SONP A 595-CSD17579 A 595-CSD17579Q3AT

Datenblatt:

CSD17579Q3A Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0,628 €	0,63 €
	0,386 €	3,86 €
	0,261 €	26,10 €
	0,203 €	101,50 €
	0,181 €	181,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0,181 €	452,50 €
	0,161 €	805,00 €
	0,148 €	1.480,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD17579Q3AT

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

1,69 €

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD17579Q3AT

Beschreibung:

MOSFETs 30V NCh NexFET Pwr M OSFET A 595-CSD1757 A 595-CSD17579Q3A

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSONP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	39 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	10.2 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.1 V
Qg - Gate-Ladung:	15 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	29 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Entwicklungs-Kit:	TPS25741EVM-802, TPS25741AEVM-802
Abfallzeit:	1 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	37 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	5 ns
Serie:	CSD17579Q3A
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	11 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	2 ns
Gewicht pro Stück:	27,300 mg

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Datenblatt

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Models

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SPICE Models

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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