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CSD17577Q3AT

Name: Texas Instruments CSD17577Q3AT
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17577Q3AT
Price: 1.37 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD17577Q3AT

Herst.- Nr.:

CSD17577Q3AT

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 30V NCH NexFET MOSFE T A 595-CSD17577Q3A A 595-CSD17577Q3A

Datenblatt:

CSD17577Q3AT Datenblatt

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,37 €	1,37 €
	1,06 €	10,60 €
	0,605 €	60,50 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	0,605 €	151,25 €
	0,522 €	261,00 €
	0,499 €	499,00 €
	0,47 €	1.175,00 €
	0,463 €	2.315,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD17577Q3A

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

0,83 €

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD17577Q3A

Beschreibung:

MOSFETs 30V N-channel NexFE T Pwr MOSFET A 595-C A 595-CSD17577Q3AT

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSONP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	35 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	5.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.4 V
Qg - Gate-Ladung:	27 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 85 C
Pd - Verlustleistung:	53 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	4 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	31 ns
Serie:	CSD17577Q3A
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	20 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	4 ns
Gewicht pro Stück:	27,700 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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