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CSD17559Q5

Name: Texas Instruments CSD17559Q5
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17559Q5
Price: 3.01 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD17559Q5

Herst.- Nr.:

CSD17559Q5

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 30V N Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD1755 A 595-CSD17559Q5T

Datenblatt:

CSD17559Q5 Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	3,01 €	3,01 €
	1,96 €	19,60 €
	1,54 €	154,00 €
	1,29 €	645,00 €
	1,22 €	1.220,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	1,03 €	2.575,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD17559Q5T

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

3,72 €

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD17559Q5T

Beschreibung:

MOSFETs 30V N-Ch NexFET Pwr MOSFET A 595-CSD1755 A 595-CSD17559Q5

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
REACH - SVHC:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSON-CLIP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	100 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	1.15 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.4 V
Qg - Gate-Ladung:	39 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	3.2 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	14 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	235 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	41 ns
Serie:	CSD17559Q5
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	32 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	20 ns
Gewicht pro Stück:	250 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
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ECCN:: EAR99

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Diese n-Kanal-Bauteile verfügen über einen extrem niedrigen Qg und Qd sowie einen niedrigen thermischen Widerstand. Diese Bauteile sind Avalanche-fähig und in einem SON-Kunststoffgehäuse von 5 mm x 6 mm verfügbar.

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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