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CSD17551Q3A

Name: Texas Instruments CSD17551Q3A
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD17551Q3A
Price: 0.97 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD17551Q3A

Herst.- Nr.:

CSD17551Q3A

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 30V N-Chnl MOSFET A 595-CSD17578Q3A A 59 A 595-CSD17578Q3A

Datenblatt:

CSD17551Q3A Datenblatt

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0,972 €	0,97 €
	0,608 €	6,08 €
	0,399 €	39,90 €
	0,31 €	155,00 €
	0,28 €	280,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0,249 €	622,50 €
	0,234 €	1.170,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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CSD17578Q3A

Beschreibung:

MOSFETs CSD17578Q3A 30 V 8-V SONP A 595-CSD17578 A 595-CSD17578Q3AT

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Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSONP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	30 V
Id - Drain-Gleichstrom:	48 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	9 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.1 V
Qg - Gate-Ladung:	6 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	2.6 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	3.4 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	101 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	24 ns
Serie:	CSD17551Q3A
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	12 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	8 ns
Gewicht pro Stück:	27,600 mg

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NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Diese n-Kanal-Bauteile verfügen über einen extrem niedrigen Qg und Qd sowie einen niedrigen thermischen Widerstand. Diese Bauteile sind Avalanche-fähig und in einem SON-Kunststoffgehäuse von 5 mm x 6 mm verfügbar.

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