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CSD16406Q3

Name: Texas Instruments CSD16406Q3
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD16406Q3
Price: 1.49 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD16406Q3

Herst.- Nr.:

CSD16406Q3

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs N-Ch NexFET Power MO SFETs

Datenblatt:

CSD16406Q3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,49 €	1,49 €
	0,946 €	9,46 €
	0,63 €	63,00 €
	0,488 €	244,00 €
	0,452 €	452,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0,452 €	1.130,00 €
	0,416 €	2.080,00 €
	0,408 €	10.200,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	VSON-CLIP-8
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	25 V
Id - Drain-Gleichstrom:	60 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	5.3 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 12 V, 16 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	1.4 V
Qg - Gate-Ladung:	5.8 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	46 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	4.8 ns
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	12.9 ns
Serie:	CSD16406Q3
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel Power MOSFET
Regelabschaltverzögerungszeit:	8.5 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	7.3 ns
Gewicht pro Stück:	43,700 mg

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ECCN:: EAR99

NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments NexFET n-Kanal-Leistungs-MOSFETs sind zur Reduzierung von Verlusten in Leistungsumwandlungsapplikationen ausgelegt. Diese n-Kanal-Bauteile verfügen über einen extrem niedrigen Qg und Qd sowie einen niedrigen thermischen Widerstand. Diese Bauteile sind Avalanche-fähig und in einem SON-Kunststoffgehäuse von 5 mm x 6 mm verfügbar.

Texas Instruments NexFET™ Power MOSFET

The Texas Instruments N-Channel NexFET™ Power MOSFET series features low on resistance coupled with extremely low gate charge, making it ideal for high efficiency/high frequency switching converter and Synchronous FET applications. The TI NexFET Power MOSFET combines vertical current flow with a lateral power MOSFET for a level of performance not previously possible with existing silicon platforms. The TI NexFET minimizes losses in power conversion applications and allows designers to achieve 90-percent power supply efficiencies from light to full loads with high output currents and low duty cycles.

Leistungs-MOSFET NexFET™ von TEXAS INSTRUMENTS

Die Leistungs-MOSFETs NexFET™ von Texas Instruments stellen die Gate-Ladung bei gleichem Widerstand nur halb so groß, sodass bei doppelter Frequenz 90 % der Energieeffizienz von Netzteilen erreicht werden kann. Die Leistungs-MOSFETs TI NexFET vereinen einen vertikalen Stromfluss mit einem lateralen Leistungs-MOSFET. Die Komponenten haben einen geringen Widerstand und erfordern eine äußerst niedrige Gate-Ladung in einem Gehäuse nach Idustriestandard. Diese Kombination war mit vorhandenen Siliziumsubstraten nicht möglich. Mit der TI NexFET Leistungs-MOSFET-Technologie wird die Energieeffizienz in den Bereichen Hochleistungscomputer, Netzwerke, Serversysteme und Energieversorgung verbessert.
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