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CSD13381F4T

Name: Texas Instruments CSD13381F4T
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD13381F4T
Price: 0.35 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD13381F4T

Herst.- Nr.:

CSD13381F4T

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 12V N-Ch FemtoFET MO SFET A 595-CSD13381 A 595-CSD13381F4

Datenblatt:

CSD13381F4T Datenblatt

ECAD Model:

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)

Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0,353 €	0,35 €
	0,323 €	3,23 €
	0,295 €	29,50 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 250)
	0,295 €	73,75 €
	0,276 €	138,00 €
	0,272 €	272,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD13381F4

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

0,31 €

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD13381F4

Beschreibung:

MOSFETs 12V N-CH Pwr MOSFET A 595-CSD13381F4T A 595-CSD13381F4T

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PICOSTAR-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	12 V
Id - Drain-Gleichstrom:	2.1 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	180 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	850 mV
Qg - Gate-Ladung:	1.06 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	500 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	3.8 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	3.2 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	1.5 ns
Serie:	CSD13381F4
Verpackung ab Werk:	250
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	11 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	3.7 ns
Gewicht pro Stück:	0,400 mg

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CNHTS:: 8541210000
CAHTS:: 8541210000
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MXHTS:: 8541210100
ECCN:: EAR99

FemtoFET Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments FemtoFET Leistungs-MOSFETs bieten einen extrem kleinen Footprint (0402 Gehäusegröße) mit ultra-niedrigem Widerstand (70% weniger als die Konkurrenz). Diese MOSFETs verfügen über extrem niedrige Qg- und Qgd-Spezifikationen und bieten eine optimierte ESD-Bewertung. Sie sind in einem LGA-Gehäuse (Land-Grid-Array) erhältlich. Dieses Gehäuse maximiert den Siliziumgehalt und macht sie ideal für platzbeschränkte Anwendungen. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine geringe Verlustleistung sowie geringe Schaltverluste für eine verbesserte Lichtladeleistung. Zu den typischen Anwendungen für diese Geräte zählen Handgeräte-, Lastschalter-, Allzweckschalter- und Batterie- sowie mobile Anwendungen.
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