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CSD13380F3

Name: Texas Instruments CSD13380F3
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD13380F3
Price: 0.31 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD13380F3

Herst.- Nr.:

CSD13380F3

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13380F3T

Datenblatt:

CSD13380F3 Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0,318 €	0,32 €
	0,238 €	2,38 €
	0,136 €	13,60 €
	0,086 €	43,00 €
	0,071 €	71,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,061 €	183,00 €
	0,053 €	318,00 €
	0,046 €	414,00 €
	0,045 €	1.080,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD13380F3T

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

1,14 €

Min:

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD13380F3T

Beschreibung:

MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET si A A 595-CSD13380F3

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Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	PICOSTAR-3
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	12 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3.6 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	76 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 8 V, 8 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	550 mV
Qg - Gate-Ladung:	1.2 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.4 W
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Abfallzeit:	3 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	4.3 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	4 ns
Serie:	CSD13380F3
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Regelabschaltverzögerungszeit:	11 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	4 ns
Gewicht pro Stück:	0,300 mg

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CSD13380F3 TINA-TI Reference Design

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

FemtoFET Leistungs-MOSFETs

Die Texas Instruments FemtoFET Leistungs-MOSFETs bieten einen extrem kleinen Footprint (0402 Gehäusegröße) mit ultra-niedrigem Widerstand (70% weniger als die Konkurrenz). Diese MOSFETs verfügen über extrem niedrige Qg- und Qgd-Spezifikationen und bieten eine optimierte ESD-Bewertung. Sie sind in einem LGA-Gehäuse (Land-Grid-Array) erhältlich. Dieses Gehäuse maximiert den Siliziumgehalt und macht sie ideal für platzbeschränkte Anwendungen. Diese Leistungs-MOSFETs bieten eine geringe Verlustleistung sowie geringe Schaltverluste für eine verbesserte Lichtladeleistung. Zu den typischen Anwendungen für diese Geräte zählen Handgeräte-, Lastschalter-, Allzweckschalter- und Batterie- sowie mobile Anwendungen.
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