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CSD13306W

Name: Texas Instruments CSD13306W
Brand: Texas Instruments
SKU: 595-CSD13306W
Price: 0.64 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

595-CSD13306W

Herst.- Nr.:

CSD13306W

Herst.:

Texas Instruments

Beschreibung:

MOSFETs 12-V N channel NexF ET power MOSFET sin A 595-CSD13306WT

Datenblatt:

CSD13306W Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0,645 €	0,65 €
	0,396 €	3,96 €
	0,259 €	25,90 €
	0,201 €	100,50 €
	0,176 €	176,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,144 €	432,00 €
	0,132 €	792,00 €
	0,125 €	1.125,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

CSD13306WT

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

1,44 €

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Herst.:

Texas Instruments

Herst.- Nr.:

CSD13306WT

Beschreibung:

MOSFETs 12V N-Channel NexFET Power MOSFET A 595- A 595-CSD13306W

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

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Hersteller:	Texas Instruments
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DSBGA-6
Transistorpolung:	N-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	12 V
Id - Drain-Gleichstrom:	3.5 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	10.2 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	700 mV
Qg - Gate-Ladung:	11.2 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Pd - Verlustleistung:	1.9 W
Kanalmodus:	Enhancement
Handelsname:	NexFET
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Texas Instruments
Konfiguration:	Single
Produkt-Typ:	MOSFETs
Serie:	CSD13306W
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channel
Gewicht pro Stück:	1,700 mg

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CSD13306W PSpice Model (Rev. A)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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