TSG65N190CR RVG

Taiwan Semiconductor
821-TSG65N190CRRVG
TSG65N190CR RVG

Herst.:

Beschreibung:
GaN FETs 650V, 11A, PDFN56, E-mode GaN Transistor

Datenblatt:
ECAD Model:
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Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ †
8,44 € 8,44 €
5,81 € 58,10 €
4,33 € 433,00 €
4,03 € 2.015,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
4,03 € 12.090,00 €
† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Taiwan Semiconductor
Produktkategorie: GaN FETs
RoHS:  
SMD/SMT
PDFN-6
N-Channel
1 Channel
650 V
11 A
190 mOhms
- 7 V, + 7 V
2.6 V
2.2 nC
- 55 C
+ 150 C
Enhancement
Marke: Taiwan Semiconductor
Konfiguration: Single
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: TW
Abfallzeit: 10 ns
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Verpackung: Reel
Verpackung: Cut Tape
Verpackung: MouseReel
Produkt-Typ: GaN FETs
Anstiegszeit: 5 ns
Verpackung ab Werk: 3000
Unterkategorie: Transistors
Technologie: Si
Regelabschaltverzögerungszeit: 8 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit: 5 ns
Artikel # Aliases: TSG65N190CR
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Datenblatt

Models

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TARIC:
8541290000
ECCN:
EAR99

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