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BSS84 RFG

Name: Taiwan Semiconductor BSS84 RFG
Brand: Taiwan Semiconductor
SKU: 821-BSS84
Price: 0.2 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

821-BSS84

Herst.- Nr.:

BSS84 RFG

Herst.:

Taiwan Semiconductor

Beschreibung:

MOSFETs -60, -0.15, Single P-Channel

Datenblatt:

BSS84 RFG Datenblatt

ECAD Model:

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Cut-Tape

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Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	0,206 €	0,21 €
	0,141 €	1,41 €
	0,089 €	8,90 €
	0,056 €	28,00 €
	0,046 €	46,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 3000)
	0,032 €	96,00 €
	0,028 €	168,00 €
	0,025 €	225,00 €
	0,023 €	552,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Hersteller:	Taiwan Semiconductor
Produktkategorie:	MOSFETs
RoHS:
Technologie:	Si
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOT-23-3
Transistorpolung:	P-Channel
Anzahl der Kanäle:	1 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	60 V
Id - Drain-Gleichstrom:	150 mA
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	8 Ohms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 20 V, 20 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	2 V
Qg - Gate-Ladung:	1.9 nC
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 155 C
Pd - Verlustleistung:	357 mW
Kanalmodus:	Enhancement
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	Taiwan Semiconductor
Konfiguration:	Single
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	TW
Abfallzeit:	78 ns
Durchlassleitwert (Vorwärtstranskonduktanz) min.:	0.5 S
Produkt-Typ:	MOSFETs
Anstiegszeit:	15 ns
Verpackung ab Werk:	3000
Unterkategorie:	Transistors
Transistorart:	1 N-Channe
Regelabschaltverzögerungszeit:	21 ns
Typische Einschaltverzögerungszeit:	10 ns
Artikel # Aliases:	BSS84
Gewicht pro Stück:	8 mg

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BSSx N-Channel & P-Channel Power MOSFETs

Taiwan Semiconductor BSSx N-Channel and P-Channel Power MOSFETs feature a low drain-source on-state resistance (R_DS(ON)), that minimizes conductive losses. The N-channel power MOSFETs enable a low gate charge for fast power switching. The BSSx power MOSFETs operate from -55°C to 150°C temperature range. These N-channel power MOSFETs are ideal for low side load switching, level shift circuits, and general switch circuits.