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STPSC6H065BY-TR

Name: STMicroelectronics STPSC6H065BY-TR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STPSC6H065BY-TR
Price: 1.37 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STPSC6H065BY-TR

Herst.- Nr.:

STPSC6H065BY-TR

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden Automotive 650 V, 6 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

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Datenblatt:

STPSC6H065BY-TR Datenblatt (PDF)

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	1,37 €	1,37 €
	1,17 €	11,70 €
	1,01 €	101,00 €
	0,963 €	481,50 €
	0,937 €	937,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0,912 €	2.280,00 €
	0,877 €	8.770,00 €
25.000	Kostenvoranschlag

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	DPAK
Konfiguration:	Single
If - Durchlassstrom:	6 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	650 V
Vf - Durchlassspannung:	1.45 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	60 A
Ir - Sperrstrom:	5 uA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	STPSC
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Marke:	STMicroelectronics
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Vr - Sperrspannung:	650 V
Gewicht pro Stück:	320 mg

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Datenblatt

STPSC6H065BY-TR Datenblatt (PDF)

PCN

CNHTS:: 8541100000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Standardprodukte

Die Standardprodukte von STMikroelectronics sind eine große Auswahl von Industriestandard- und Drop-In-Ersatzteilen für die gängisten Universal-Analog-ICs, diskreten und seriellen EEPROMs. Die Standardprodukte werden nach den höchsten Qualitätsstandards hergestellt und viele davon sind für Automotive-Applikationen AECQ-qualifiziert. Eine umfassende Palette von Design-Hilfsmitteln, darunter SPICE, IBIS-Modelle und Simulations-Tools, sind verfügbar, um das Hinzufügen zu einem Design-in zu vereinfachen.

STPSC Schottky Silicon-Carbide Diodes

STMicroelectronics Schottky Silicon-Carbide Diodes take advantage of SiC's superior physical characteristics over standard silicon, with four times better dynamic characteristics and 15% less forward voltage (VF). The low reverse recovery characteristics make ST's silicon-carbide diodes a key contributor to energy savings in SMPS applications and in emerging domains such as solar energy conversion, EV or HEV charging stations. They are also ideal for other applications such as welding equipment and air conditioners. STMicroelectronics SiC product portfolio includes a 20A, 600V diode, housed in a halogen-free TO-247 package, to extend its 4A to 12A, through-hole, and SMD package offer. The second generation, with a 6A, 1200V device, and a 650V series are also available.

STPSC 650-V-Schottky-Dioden auf Siliziumkarbid-Basis

STMicroelectronics STPSC 650-V-Schottky-Dioden auf Siliziumkarbid-Basis sind extrem leistungsstarke Schottky-Dioden. Das Breitbandlückenmaterial ermöglicht die Erstellung einer Schottky-Diodenstruktur mit einer Nennleistung von 650 V. Aufgrund der Schottky-Bauweise tritt beim Ausschalten keine Verzögerung auf und Überschwingmuster sind geringfügig. Das minimale kapazitive Abschaltverhalten ist temperaturunabhängig. Diese Bauteile eignen sich besonders gut für den Einsatz in PFC-Applikationen und erhöhen die Leistung bei harten Schaltbedingungen. Das hohe Ableitvermögen sorgt für eine gute Robustheit bei transienten Phasen.