Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

STPSC10H065G2-TR

Name: STMicroelectronics STPSC10H065G2-TR
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STPSC10H065G2-TR
Price: 3.64 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STPSC10H065G2-TR

Herst.- Nr.:

STPSC10H065G2-TR

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

SiC Schottky Dioden 650 V, 10 A High Surge Silicon Carbide Power Schottky Diode

Vervollständigen Sie Ihr Design

Datenblatt:

STPSC10H065G2-TR Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Mehr über

Weitere Informationen zu STMicroelectronics STPSC10H065G2-TR

Auf Lager: 1.668

Lagerbestand:: 1.668 sofort lieferbar

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 25 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Gehäuse:

Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)

Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	3,64 €	3,64 €
	2,40 €	24,00 €
	1,69 €	169,00 €
	1,54 €	770,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	1,31 €	1.310,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	SiC Schottky Dioden
RoHS:
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	D2PAK-3
Konfiguration:	Single
If - Durchlassstrom:	10 A
Vrrm - Periodische Sperrspannung:	650 V
Vf - Durchlassspannung:	1.56 V
Ifsm - Durchlass-Stoßstrom:	470 A
Ir - Sperrstrom:	9 uA
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Produkt-Typ:	SiC Schottky Diodes
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	Diodes & Rectifiers
Gewicht pro Stück:	1,480 g

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

STPSC10H065G2-TR Datenblatt (PDF)

PCN

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

TARIC:: 8541100000
CAHTS:: 8541100090
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Standardprodukte

Die Standardprodukte von STMikroelectronics sind eine große Auswahl von Industriestandard- und Drop-In-Ersatzteilen für die gängisten Universal-Analog-ICs, diskreten und seriellen EEPROMs. Die Standardprodukte werden nach den höchsten Qualitätsstandards hergestellt und viele davon sind für Automotive-Applikationen AECQ-qualifiziert. Eine umfassende Palette von Design-Hilfsmitteln, darunter SPICE, IBIS-Modelle und Simulations-Tools, sind verfügbar, um das Hinzufügen zu einem Design-in zu vereinfachen.

STPSC 650-V-Schottky-Dioden auf Siliziumkarbid-Basis

STMicroelectronics STPSC 650-V-Schottky-Dioden auf Siliziumkarbid-Basis sind extrem leistungsstarke Schottky-Dioden. Das Breitbandlückenmaterial ermöglicht die Erstellung einer Schottky-Diodenstruktur mit einer Nennleistung von 650 V. Aufgrund der Schottky-Bauweise tritt beim Ausschalten keine Verzögerung auf und Überschwingmuster sind geringfügig. Das minimale kapazitive Abschaltverhalten ist temperaturunabhängig. Diese Bauteile eignen sich besonders gut für den Einsatz in PFC-Applikationen und erhöhen die Leistung bei harten Schaltbedingungen. Das hohe Ableitvermögen sorgt für eine gute Robustheit bei transienten Phasen.