STGWA40H65DFB

STMicroelectronics
511-STGWA40H65DFB
STGWA40H65DFB

Herst.:

Beschreibung:
IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 40 A high speed HB series IGBT

ECAD Model:
Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Auf Lager: 437

Lagerbestand:
437 sofort lieferbar
Lieferzeit ab Hersteller:
14 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks für Mengen, die größer als angezeigt sind.
Minimum: 1   Vielfache: 1
Stückpreis:
-,-- €
Erw. Preis:
-,-- €
Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge Stückpreis
Erw. Preis
3,28 € 3,28 €
2,11 € 21,10 €
1,44 € 144,00 €
1,11 € 666,00 €
1,10 € 1.320,00 €

Produktattribut Attributwert Attribut auswählen
STMicroelectronics
Produktkategorie: IGBTs
RoHS:  
Si
TO-247-3
Through Hole
Single
650 V
1.6 V
- 20 V, 20 V
80 A
283 W
- 55 C
+ 175 C
STGWA40H65DFB
Tube
Marke: STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom Ic max.: 80 A
Kriechstrom Gate-Emitter: +/- 250 nA
Produkt-Typ: IGBT Transistors
Verpackung ab Werk: 600
Unterkategorie: IGBTs
Gewicht pro Stück: 6 g
Produkte gefunden:
Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus
Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.
Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99