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STGWA20HP65FB2

Name: STMicroelectronics STGWA20HP65FB2
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGWA20HP65FB2
Price: 2.71 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGWA20HP65FB2

Herst.- Nr.:

STGWA20HP65FB2

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IGBTs Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, high speed HB2 series IGBT in a TO-247 long

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Datenblatt:

STGWA20HP65FB2 Datenblatt (PDF)

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	0,989 €	98,90 €
	0,903 €	541,80 €
	0,874 €	1.048,80 €

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-247-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.65 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	40 A
Pd - Verlustleistung:	147 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	HB2
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Kriechstrom Gate-Emitter:	250 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	600
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	6,100 g

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Datenblatt

STGWA20HP65FB2 Datenblatt (PDF)

Application Notes

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

IH-Baureihe 650-V-IGBTs

STMicroelectronics IH-Baureihe 650-V-IGBTs bieten einen hohen Wirkungsgrad für Induktionserwärmungssysteme und weiche Schaltapplikationen. Die IGBTs gehören zur STPOWER™-Produktfamilie, die über die HB-Baureihe hinausgeht, die zur Zeit für Induktionserwärmungsapplikationen verwendet wird. Aufgrund einer niedrigeren V_CE(sat) zusammen mit einer sehr geringen Ausschaltenergie sorgt die 650-V-IH-Baureihe für einen erhöhten Wirkungsgrad in Endapplikationen. Es gibt 40-A- und 50-A-Bauteile, die bereits in TO-247-Gehäusen mit langen Leitungen verfügbar sind. 20-A- und 30-A-Bauteile befinden sich in der Entwicklungsphase.

1200V H-Serie Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs

Die 1200V-Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs der H-Serie von STMicroelectronics sind Hochgeschwindigkeits-IGBTs, bei deren Entwicklung eine erweiterte proprietäre Trench-Gate- und Field-Stop-Struktur verwendet wurde. Diese Geräte stellen einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten dar, um den Wirkungsgrad eines Frequenzwandlers zu maximieren. Mit der erweiterten Trench-Gate-Field-Stop-Hochgeschwindigkeitstechnologie von ST verfügen diese IGBTs über eine 5μs Kurzschlussfestigkeits-Widerstandszeit bei T_J=150°C, ein minimales Kollektorstrom-Abschaltungsende, sowie über eine sehr geringe Sättigungsspannung (V_CE(sat)) hinunter bis zu 2,1V (Typ.), was Energieverluste während des Schaltens und Einschaltens minimiert. Außerdem führen ein leicht positiver VCE-Temperaturkoeffizient _(sat) und eine äußerst geringe Parameterverteilung zu sichererem Parallelbetrieb. Die 1200V-Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs der H-Serie sind ideal für unterbrechungsfreie Stromversorgungen, Schweißmaschinen, Photovoltaik-Wechselrichter, Leistungsfaktorkorrektur und Hochfrequenz-Wandler.
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