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STGP8M120DF3

Name: STMicroelectronics STGP8M120DF3
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGP8M120DF3
Price: 4.55 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGP8M120DF3

Herst.- Nr.:

STGP8M120DF3

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IGBTs Trench gate field-stop, 1200 V, 8 A low loss M series IGBT in a TO-220 package

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Datenblatt:

STGP8M120DF3 Datenblatt (PDF)

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	3,03 €	30,30 €
	2,45 €	245,00 €
	2,18 €	1.090,00 €
	1,74 €	1.740,00 €

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	TO-220-3
Montageart:	Through Hole
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	1.2 kV
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.85 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	16 A
Pd - Verlustleistung:	167 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	M
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom Ic max.:	8 A
Kriechstrom Gate-Emitter:	250 uA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	2 g

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Datenblatt

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PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs

STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive V_CE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.