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STGH30H65DFB-2AG

Name: STMicroelectronics STGH30H65DFB-2AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGH30H65DFB-2AG
Price: 3.16 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGH30H65DFB-2AG

Herst.- Nr.:

STGH30H65DFB-2AG

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB series IGBT

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Datenblatt:

STGH30H65DFB-2AG Datenblatt (PDF)

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	3,16 €	3,16 €
	2,13 €	21,30 €
	1,56 €	156,00 €
	1,40 €	700,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1000)
	1,23 €	1.230,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	H2PAK-2
Montageart:	SMD/SMT
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	650 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.55 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 20 V, 20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	60 A
Pd - Verlustleistung:	260 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	IGBTs

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Datenblatt

STGH30H65DFB-2AG Datenblatt (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

650V HB-Serie Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs

STMicroelectronics 650V Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs der HB-Serie sind IGBTs, bei deren Entwicklung eine erweiterte proprietäre Trench-Gate- und Field-Stop-Struktur verwendet wurde. Diese Geräte stellen einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten dar, um den Wirkungsgrad eines Frequenzwandlers zu maximieren. Mit der erweiterten Trench-Gate-Field-Stop-Hochgeschwindigkeitstechnologie von ST verfügen diese IGBTs über ein minimales Kollektorstrom-Abschaltungsende, sowie über eine sehr geringe Sättigungsspannung (Vce_(sat)) hinunter bis zu 1,6V (Typ.), dies minimiert Energieverluste während des Schaltens und beim Einschalten. Außerdem führen ein leicht positiver VCE-Temperaturkoeffizient _(sat) und eine äußerst geringe Parameterverteilung zu sichererem Parallelbetrieb.
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