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STGD4H60DF

Name: STMicroelectronics STGD4H60DF
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGD4H60DF
Price: 1.06 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGD4H60DF

Herst.- Nr.:

STGD4H60DF

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IGBTs Trench gate field-stop 600 V, 4 A high speed H series IGBT

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Datenblatt:

STGD4H60DF Datenblatt (PDF)

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Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,06 €	1,06 €
	0,666 €	6,66 €
	0,439 €	43,90 €
	0,352 €	176,00 €
	0,316 €	316,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0,285 €	712,50 €
	0,243 €	1.215,00 €
	0,241 €	2.410,00 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Montageart:	SMD/SMT
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	600 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.95 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	20 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	8 A
Pd - Verlustleistung:	75 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Kriechstrom Gate-Emitter:	250 nA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	330 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

STGD4H60DF 600 V 4 A Hochgeschwindigkeits-IGBT der H-Baureihe

Der STMicroelectronics STGD4H60DF 600V 4A Hochgeschwindigkeits-IGBTs der Serie H sind mit einer fortschrittlichen Trench-Gate-Feld-Stopp-Struktur ausgestattet. Die STGD4H60DF-IGBTs der H-Serie von STMicroelectronics bieten ein ausgewogenes Verhältnis zwischen Leitungs- und Schalteffizienz und sind daher ideal für Hochfrequenzwandler geeignet. Die Bauteile bieten außerdem einen leicht positiven Temperaturkoeffizienten V_CE(sat) und eine konsistente Parameterverteilung für einen sichereren Parallelbetrieb.