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STGD20N45LZAG

Name: STMicroelectronics STGD20N45LZAG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STGD20N45LZAG
Price: 1.68 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STGD20N45LZAG

Herst.- Nr.:

STGD20N45LZAG

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

IGBTs Automotive-grade 450 V internally clamped IGBT ESCIS 300 mJ

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Datenblatt:

STGD20N45LZAG Datenblatt (PDF)

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-,-- €

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Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)

Cut-Tape

MouseReel™ (+5,00 €)

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
Gurtabschnitt / MouseReel™ ^†
	1,68 €	1,68 €
	1,08 €	10,80 €
	0,723 €	72,30 €
	0,574 €	287,00 €
	0,526 €	526,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 2500)
	0,501 €	1.252,50 €

† Für die MouseReel™ wird Ihrem Warenkorb automatisch eine Gebühr von 5,00 € hinzugefügt. MouseReel™ Bestellungen sind weder stornierbar, noch können sie zurückgegeben werden. ↩

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	IGBTs
RoHS:
Technologie:	Si
Verpackung/Gehäuse:	DPAK-3 (TO-252-3)
Montageart:	SMD/SMT
Konfiguration:	Single
Kollektor-Emitterspannung VCEO max.:	475 V
Sättigungsspannung Kollektor-Emitter:	1.25 V
Maximale Gate-Emitter-Spannung:	- 12 V, 16 V
Kollektorgleichstrom bei 25 C:	25 A
Pd - Verlustleistung:	150 W
Minimale Betriebstemperatur:	- 55 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Serie:	STGD20N45LZAG
Qualifikation:	AEC-Q101
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Verpackung:	MouseReel
Marke:	STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom Ic max.:	25 A
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Kriechstrom Gate-Emitter:	625 uA
Produkt-Typ:	IGBT Transistors
Verpackung ab Werk:	2500
Unterkategorie:	IGBTs
Gewicht pro Stück:	330 mg

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Datenblatt

STGD20N45LZAG Datenblatt (PDF)

PCN

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

Intern geklemmte IGBTs nach Automobilstandard

Die intern geklemmten IGBTs nach Automobilstandard von STMicroelectronics verwenden die fortgeschrittene PowerMESH™-Technologie, die für den Spulenantrieb bei rauen Umgebungsbedingungen in Automobil-Zündsystemen ausgelegt ist. Diese Bauteile zeigen eine sehr niedrige Durchlassspannung und eine sehr hohe SCIS-Energiekapazität über einen weiten Betriebstemperaturbereich. Der ESD-geschützte Logikpegel-Gate-Eingang und ein integrierter Gate-Widerstand erfordern keine externe Schutzschaltung.
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