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STDRIVEG600

Name: STMicroelectronics STDRIVEG600
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-STDRIVEG600
Price: 4.29 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-STDRIVEG600

Herst.- Nr.:

STDRIVEG600

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

Gate-Treiber High voltage half-bridge gate driver for GaN transistors

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Datenblatt:

STDRIVEG600 Datenblatt (PDF)

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	4,29 €	4,29 €
	3,35 €	33,50 €
	2,95 €	73,75 €
	2,80 €	280,00 €
	2,67 €	667,50 €
	2,59 €	1.295,00 €
	2,45 €	2.450,00 €
	2,36 €	4.720,00 €

Alternativverpackung

Herst. Teilenr.:

STDRIVEG600TR

Verpackung:

Reel, Cut Tape, MouseReel

Verfügbarkeit:

Auf Lager

Preis:

3,50 €

Min:

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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	Gate-Treiber
RoHS:
Produkt:	Half-Bridge Drivers
Typ:	High-Side, Low-Side
Montageart:	SMD/SMT
Verpackung/Gehäuse:	SOIC-16
Anzahl der Treiber:	2 Driver
Anzahl der Ausgänge:	1 Output
Ausgangsstrom:	5.5 A, 6 A
Versorgungsspannung - Min.:	4.75 V
Versorgungsspannung - Max.:	20 V
Anstiegszeit:	7 ns
Abfallzeit:	5 ns
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 125 C
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Logiktyp:	CMOS, TTL
Feuchtigkeitsempfindlich:	Yes
Ausgangsspannung:	520 V
Produkt-Typ:	Gate Drivers
Verpackung ab Werk:	1000
Unterkategorie:	PMIC - Power Management ICs
Technologie:	GaN

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Datenblatt

STDRIVEG600 Datenblatt (PDF)

PCN

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CNHTS:: 8542399000
USHTS:: 8542390090
ECCN:: EAR99

STDRIVEG600 Halbbrücken-Gate-Treiber

Der STMicroelectronics STDRIVEG600-Halbbrücken-Gate-Treiber ist ein Einzelchip-Halbbrücken-gate-Treiber für GaN (Galliumnitrid) eHEMTs (Anreicherungstyp-High-Electron-Mobility-Transistoren) oder n-Kanal-Leistungs-MOSFETs. Die high-side des STDRIVEG600 ist so konzipiert, dass sie Spannungen von bis zu 600 V widersteht und für Designs mit einer Busspannung von bis zu 500 V geeignet. Dieses Bauteil eignet sich aufgrund seiner hohen Strombelastbarkeit, kurzen Laufzeitverzögerungen und des Betriebs mit einer Versorgungsspannung bis hinunter zu 5 V hervorragend für den Antrieb von Hochgeschwindigkeits-GaN- und Silizium-FETs.