Zum Hauptinhalt wechseln

+49 (0)89 520 462 110

Teil der TTI Family of Specialists Kontaktieren Sie Mouser (München) +49 (0)89 520 462 110 Feedback

Standort wählen

Auf Lager

RoHS

Login
Neuer Kunde? Hier starten
Login
Neuer Kunde? Hier starten

Bestellhistorie

Herst.	Herst.- Nr.:	Menge	Endpreis

Warenkorb ansehen

Scheinbar haben Sie Javascript in Ihrem Browser deaktiviert. Einige Funktionen auf dieser Seite funktionieren nur, wenn Sie sich anmelden.

Wird ein Fehler angezeigt?

SCT027TO65G3

STMicroelectronics

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-SCT027TO65G3

Herst.- Nr.:

SCT027TO65G3

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

SiC-MOSFETs Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mOhm typ., 60 A in a TO-LL package

Vervollständigen Sie Ihr Design

Lebenszyklus:

Neues Produkt:

Neu von diesem Hersteller.

Datenblatt:

SCT027TO65G3 Datenblatt (PDF)

ECAD Model:

Den kostenlosen Library Loader herunterladen, um diese Datei für Ihr ECAD Tool zu konvertieren. Weitere Infos zu ECAD-Modell.

Verfügbarkeit

Lagerbestand:: Nicht auf Lager

Ein unerwarteter Fehler ist aufgetreten. Bitte versuchen Sie es später noch einmal.
Lieferzeit ab Hersteller:: 19 Wochen Geschätzte Produktionszeit des Werks.

Menge eingeben:

Minimum: 1 Vielfache: 1

Stückpreis:

-,-- €

Erw. Preis:

-,-- €

Vorauss. Zolltarif:

Preis (EUR)

Menge	Stückpreis	Erw. Preis
	10,75 €	10,75 €
	8,03 €	80,30 €
	6,94 €	694,00 €
	6,57 €	3.285,00 €
	5,59 €	5.590,00 €
Ganzes Reel (Sie bestellen ein Vielfaches von 1800)
	5,59 €	10.062,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	SiC-MOSFETs
RoHS:
Marke:	STMicroelectronics
Verpackung:	Reel
Verpackung:	Cut Tape
Produkt-Typ:	SiC MOSFETS
Verpackung ab Werk:	1800
Unterkategorie:	Transistors

Produkte gefunden:

Um ähnliche Produkte anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen aus

Um ähnliche Produkte in dieser Kategorie anzuzeigen, wählen Sie mindestens ein Kontrollkästchen oben aus.

Ausgewählte Attribute: 0

Dokument filtern:

Datenblatt

SCT027TO65G3 Datenblatt (PDF)

PCN

Product Change Notification 2025-11-26 (PDF)

Für diese Funktionalität ist die Aktivierung von JavaScript erforderlich.

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

EMPFOHLENE PRODUKTE

STMICROELECTRONICS

SCTWA90N65G2Vx 650-V-Leistungs-MOSFETs

Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs mit 650 V, 18 mΩ (typisch) und 119 A in einem HiP247- und HiP247-4-Gehäuse.

Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs für Fahrzeuganwendungen

Entwickelt mit der fortschrittlichen und innovativen SiC-MOSFET-Technologie der 2./3. Generation von ST.

650 Siliziumkarbid(SiC)-MOSFETs

Verfügen über einen sehr niedrigen Einschaltwiderstand pro Fläche zusammen mit einer hervorragenden Schaltleistung.

Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs

Unübertroffener On-Widerstand pro Flächeneinheit und ein Schaltungsverhalten, das praktisch unabhängig von der Temperatur ist.

650V HB-Serie Trench-Gate-Field-Stop-IGBTs

Stellt einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten dar, um den Wirkungsgrad eines Frequenzwandlers zu maximieren.