RF2L16180CB4

STMicroelectronics
511-RF2L16180CB4
RF2L16180CB4

Herst.:

Beschreibung:
MOSFET HF-Transistoren 180 W, 28 V, 1.3 to 1.6 GHz RF power LDMOS transistor

Lebenszyklus:
NRND:
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STMicroelectronics
Produktkategorie: MOSFET HF-Transistoren
RoHS:  
N-Channel
Si
2.5 A
65 V
1 Ohms
1.6 GHz
14 dB
180 W
+ 200 C
SMD/SMT
B4E-5
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marke: STMicroelectronics
Anzahl der Kanäle: 1 Channel
Produkt-Typ: RF MOSFET Transistors
Verpackung ab Werk: 120
Unterkategorie: MOSFETs
Typ: RF Power MOSFET
Vgs - Gate-Source-Spannung: + 10 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung: 2.5 V
Gewicht pro Stück: 4 g
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Ausgewählte Attribute: 0

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TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
JPHTS:
854129000
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

RFxL LDMOS-HF-Leistungstransistoren

STMicroelectronics RFxL LDMOS-HF-Leistungstransistoren bieten eine hohe Leistungsfähigkeit für mehrere Applikationen mit verschiedenen Frequenzbändern. Die RFxL HF-Leistungstransistoren sind in B4E-, B2- und LBB-Gehäusen verfügbar.