PWD5F60

STMicroelectronics
511-PWD5F60
PWD5F60

Herst.:

Beschreibung:
Gate-Treiber High-density power driver - High voltage full bridge with integrated comparators

ECAD Model:
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Verpackung:
Reel, Cut Tape
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STMicroelectronics
Produktkategorie: Gate-Treiber
RoHS:  
MOSFET Gate Drivers
Half-Bridge
SMD/SMT
VFQFPN-15
2 Driver
2 Output
3.5 A
10 V
20 V
- 40 C
+ 125 C
PWD5F60
Tray
Marke: STMicroelectronics
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: KR
Feuchtigkeitsempfindlich: Yes
Pd - Verlustleistung: 5 W
Produkt-Typ: Gate Drivers
Rds On - Drain-Source-Widerstand: 1.38 Ohms
Abschaltung: Shutdown
Verpackung ab Werk: 1020
Unterkategorie: PMIC - Power Management ICs
Technologie: Si
Gewicht pro Stück: 120 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

CNHTS:
8542319090
USHTS:
8542390090
ECCN:
EAR99

Motortreiber

STMicroelectronics Motortreiber umfassen eine große Auswahl von Motortreibern, welche die Anforderungen von DC-Bürstenmotoren, Schrittmotoren und bürstenlosen DC-Motoren erfüllen. Die Treiber werden in einer großen Auswahl von Spannungs- und Nennströmen angeboten.Die STSPIN-Motortreiber können verwendet werden, um alle Funktionen zum Antrieb von Motoren effizient zu integrieren. Dies wird mit hoher Genauigkeit erzielt und umfasst einen erweiterten Bewegungsprofilgenerator.

DC-Bürstenmotortreiber

STMicroelectronics DC-Bürstenmotortreiber sind ein Portfolio von STSPIN-Motortreibern für DC-Bürstenmotoren. Die Treiber integrieren einen Dual-Stromsteuerungs-Core und eine Dual-Vollbrücken-Leistungsphase für den Antrieb von zwei DC-Bürstenmotoren. Die Bauteile sind in einer großen Auswahl von platzbeschränkten, thermisch verbesserten Gehäusen verfügbar. Die STSPIN-DC-Bürstenmotortreiber-ICs bieten eine einsatzbereite optimierte Lösung für Motor- und Bewegungssteuerungssysteme. Sie bieten eine große Auswahl von Nennspannungen und Nennströmen. Das STSPIN-Portfolio wird mit einer umfassen Evaluierungs-Hardware, -Software und einer technischen Dokumentations-Toolbox zur Reduzierung der Markteinführungszeit geliefert.

PWD5F60 Leistungstreiber mit hoher Dichte

Die PWD5F60 Leistungstreiber mit hoher Dichte von STMicroelectronics kombiniert Gate-Treiber und vier n-Kanal-Leistungs-MOSFETs in einer Dual-Halbbrücken-Konfiguration in einem einzelnen kompakten System-in-Package-(SiP)-Bauteil. Die integrierten Leistungs-MOSFETs verfügen über einen Drain-Source-On-Widerstand oder RDS(ON) von 1,38 Ω und eine Drain-Source-Durchschlagspannung von 600 V. Die High-Side für embedded Gate-Treiber kann einfach über die integrierte Bootstrap-Diode versorgt werden. Die hohe Integration des PWD5F60 Leistungstreibers ermöglicht eine Ansteuerung von Lasten mit hohem Wirkungsgrad in platzbeschränkten Applikationen.