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M2TP80M12W2-2LA

Name: STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-M2TP80M12W2-2LA
Price: 42.36 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-M2TP80M12W2-2LA

Herst.- Nr.:

M2TP80M12W2-2LA

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFET-Module Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 3-phase four wire PFC topology, 1200 V, 84 mOhm typ. SiC Power MOSFET with rectifier diode and NTC

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Montageart:	Press Fit
Anzahl der Kanäle:	6 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	30 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	114 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Land der Bestückung:	Not Available
Land der Verbreitung:	Not Available
Ursprungsland:	CN
Höhe:	5.7 mm
Länge:	44 mm
Produkt:	Power Modules
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Qualifikation:	AQG 324
Verpackung ab Werk:	11
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Vf - Durchlassspannung:	1.1 V
Breite:	27.4 mm
Gewicht pro Stück:	13 g

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CNHTS:: 8504409100
USHTS:: 8541290055
ECCN:: EAR99

M2TP80M12W2-2LA Fahrzeug-Leistungsmodul

STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA Fahrzeug Leistungsmodul bietet eine dreiphasige Vierleiter- PFC Topologie mit integriertem NTC, zugeschnitten auf die PFC Stufe des OBC in Hybrid- und Elektrofahrzeugen. Das Leistungsmodul integriert sechs Leistungs-MOSFETs aus Siliciumcarbid der zweiten Generation. Das gut erkannte Chip Technologie ermöglicht es STMicroelectronics M2TP80M12W2-2LA Energie Verluste zu minimieren und in einem hohen Schaltfrequenz Modus zu arbeiten. Mit dem Modul können Benutzer komplexe Topologien mit sehr hohen Leistungsdichten und hohem Wirkungsgrad erstellen.