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M1P45M12W2-1LA

Name: STMicroelectronics M1P45M12W2-1LA
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-M1P45M12W2-1LA
Price: 54.49 EUR
Availability: InStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-M1P45M12W2-1LA

Herst.- Nr.:

M1P45M12W2-1LA

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFET-Module Automotive-grade ACEPACK DMT-32 power module, 1200 V, 47.5 mOhm SiC MOSFET NTC

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Datenblatt:

M1P45M12W2-1LA Datenblatt (PDF)

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	45,02 €	495,22 €
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Produktattribut	Attributwert	Attribut auswählen
Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Technologie:	SiC
Montageart:	Press Fit
Verpackung/Gehäuse:	ACEPACK DMT-32
Anzahl der Kanäle:	6 Channel
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	1.2 kV
Id - Drain-Gleichstrom:	30 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	60.5 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	5 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 175 C
Verpackung:	Tube
Marke:	STMicroelectronics
Höhe:	5.9 mm
Länge:	44.5 mm
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Qualifikation:	AQG-324
Verpackung ab Werk:	11
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Typ:	Power Module
Breite:	27.9 mm

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Datenblatt

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8504409100
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

M1P45M12W2-1LA ACEPACK-DMT-32-Leistungsmodul

Das ACEPACK-DMT-32-Leistungsmodul M1P45M12W2-1LA von STMicroelectronics verfügt über eine Six-Pack-Topologie mit integriertem NTC, der für die DC/DC-Wandlerstufe des OBC ausgelegt ist. Dieses Leistungsmodul wird in einem On-Board-Ladegerät (OBC) verwendet. Das Leistungsmodul M1P45M12W2-1LA gewährleistet ein optimales Gleichgewicht zwischen Energieverlusten und Betriebsmodus mit hoher Schaltfrequenz. Dieses Leistungsmodul erzeugt komplexe Topologien mit sehr hohen Leistungsdichten und hohen Anforderungen an den Wirkungsgrad. Dieses Leistungsmodul ist AQG-324-qualifiziert. Das M1P45M12W2-1LA Leistungsmodul verfügt über sechs Siliziumkarbid-Leistungs-MOSFETs der 2. Generation.