BD435

STMicroelectronics
511-BD435
BD435

Herst.:

Beschreibung:
Bipolartransistoren - BJT NPN Medium Power
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Lebenszyklus:
abgekündigt
Datenblatt:
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STMicroelectronics
Produktkategorie: Bipolartransistoren - BJT
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RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOT-32-3
NPN
Single
4 A
32 V
32 V
5 V
200 mV
36 W
3 MHz
- 65 C
+ 150 C
BD435
Tube
Marke: STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom: 4 A
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: SG
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min: 40
Produkt-Typ: BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk: 50
Unterkategorie: Transistors
Gewicht pro Stück: 60 mg
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Ausgewählte Attribute: 0

Datenblatt

EOL

TARIC:
8541210000
CNHTS:
8541210000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290055
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

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