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A2TBH45M65W3-FC

Name: STMicroelectronics A2TBH45M65W3-FC
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-A2TBH45M65W3-FC
Price: 80.07 EUR
Availability: OutOfStock

Bilder dienen lediglich der Veranschaulichung und sind nicht Originalgetreu
Siehe Produktspezifikationen

Mouser-Nr.:

511-A2TBH45M65W3-FC

Herst.- Nr.:

A2TBH45M65W3-FC

Herst.:

STMicroelectronics

Beschreibung:

MOSFET-Module ACEPACK 2 power module triple boost 650V 49 mOhm half-bridge 23.5mOhm SiC MOSFET

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Datenblatt:

A2TBH45M65W3-FC Datenblatt (PDF)

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Hersteller:	STMicroelectronics
Produktkategorie:	MOSFET-Module
RoHS:
Montageart:	Press Fit
Verpackung/Gehäuse:	ACEPACK
Vds - Drain-Source-Durchschlagspannung:	650 V
Id - Drain-Gleichstrom:	28 A
Rds On - Drain-Source-Widerstand:	72 mOhms
Vgs - Gate-Source-Spannung:	- 10 V, + 22 V
Vgs th - Gate-Source-Schwellspannung:	4.2 V
Minimale Betriebstemperatur:	- 40 C
Maximale Betriebstemperatur:	+ 150 C
Verpackung:	Tray
Marke:	STMicroelectronics
Höhe:	12 mm
If - Durchlassstrom:	20 A
Länge:	62.8 mm
Produkt:	MOSFET Modules
Produkt-Typ:	MOSFET Modules
Verpackung ab Werk:	18
Unterkategorie:	Discrete and Power Modules
Typ:	Power Module
Vf - Durchlassspannung:	1.4 V
Breite:	56.7 mm
Gewicht pro Stück:	42 g

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Datenblatt

A2TBH45M65W3-FC Datenblatt (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

A2TBH45M65W3-FC Leistungsmodul

Das A2TBH45M65W3-FC Leistungsmodul von STMicroelectronics realisiert eine Dreifach-Aufwärts-plus-Halbbrücken-Topologie in einem ACEPACK^™ 2-Modul mit NTC und Kapazität. Es integriert die Stromfortschritte in Siliziumkarbid-MOSFETs von STMicroelectronics, die durch die Technologie der dritten Generation repräsentiert werden. Diese modulare Lösung wird verwendet, um komplexe Topologien mit sehr hoher Leistungsdichte und hohem Wirkungsgrad zu realisieren.