2SD1047

STMicroelectronics
511-2SD1047
2SD1047

Herst.:

Beschreibung:
Bipolartransistoren - BJT High power NPN epitaxial planar bipolar transistor
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abgekündigt
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STMicroelectronics
Produktkategorie: Bipolartransistoren - BJT
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RoHS:  
Si
Through Hole
TO-3P-3
NPN
Single
12 A
140 V
200 V
6 V
700 mV
100 W
20 MHz
+ 150 C
2SD1047
Tube
Marke: STMicroelectronics
Kollektorgleichstrom: 12 A
Land der Bestückung: Not Available
Land der Verbreitung: Not Available
Ursprungsland: KR
DC-Kollektor/Basisgewinnung hfe Min: 50
Produkt-Typ: BJTs - Bipolar Transistors
Verpackung ab Werk: 300
Unterkategorie: Transistors
Gewicht pro Stück: 6,756 g
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Ausgewählte Attribute: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

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